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碳納米管在相同尺寸上的性能超過硅晶體管
發(fā)布時(shí)間：2022-01-12 16:32:20
都說半導(dǎo)體制程微縮開始進(jìn)入瓶頸期，不過在單晶硅難以繼續(xù)微縮的時(shí)候，人們開始尋求新的替代產(chǎn)品。碳納米管是替代硅的候選納米材料之一，而碳納米管晶體管的主要技術(shù)挑戰(zhàn)過去幾年已被陸續(xù)得到解決，有可能在不久的將來走到我們面前。北京大學(xué)的科學(xué)家開發(fā)出柵長5納米的碳納米管場效應(yīng)晶體管，聲稱其性能超過相同尺寸的硅晶體管。
與傳統(tǒng)的硅基互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管相比，碳納米管晶體管的柵電容更小，與相同尺寸下的碳納米管開關(guān)速度要比硅基互補(bǔ)金屬氧化物晶體管快上很多。10納米碳納米管CMOS柵電容導(dǎo)致的延遲大約為70飛秒，僅為英特爾14納米硅基CMOS的三分之一。碳納米管電子產(chǎn)品有有可能在2022年取代硅基CMOS，成為重要的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
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